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Infineon Technologies

SPS01N60C3

工場モデル SPS01N60C3
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
パッケージ PG-TO251-3-11
株式 6460 pcs
データシート SPS01N60C3Part Number Guide
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6460のInfineon Technologies SPS01N60C3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.9V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3-11
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6Ohm @ 500mA, 10V
電力消費(最大) 11W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 100 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 800mA (Tc)
基本製品番号 SPS01N

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SPS01N60C3 データテーブルPDF

データシート