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SPP80N06S2-09 Image
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SPP80N06S2-09

工場モデル SPP80N06S2-09
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3-1
株式 6910 pcs
データシート SP(P,B)80N06S2-09Part Number Guide
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6910のInfineon Technologies SPP80N06S2-09の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 125µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.1mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 190W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3140 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 SPP80N

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データシート

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