SPP35N10
| 工場モデル | SPP35N10 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3 |
| パッケージ | PG-TO220-3-1 |
| 株式 | 6474 pcs |
| データシート | SPI,SPP35N10Part Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 83µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 |
| シリーズ | SIPMOS® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 44mOhm @ 26.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1570 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 基本製品番号 | SPP35N |
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