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SPD08P06PGBTMA1

工場モデル SPD08P06PGBTMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 199657 pcs
データシート Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.375 $0.336 $0.262 $0.217 $0.171
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。199657のInfineon Technologies SPD08P06PGBTMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 300mOhm @ 10A, 6.2V
電力消費（最大） 42W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 420 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6.2V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.83A (Ta)
基本製品番号 SPD08P06

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