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SPB80N03S203GATMA1

工場モデル SPB80N03S203GATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 3784 pcs
データシート SP(I,P,B)80N03S2-03Part Number GuideMultiple Devices 28/Feb/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3784のInfineon Technologies SPB80N03S203GATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.1mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大) 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7020 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 150 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
基本製品番号 SPB80N

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データシート