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SPB08P06P

工場モデル SPB08P06P
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 5921 pcs
データシート SPB08P06PPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5921のInfineon Technologies SPB08P06Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 300mOhm @ 6.2A, 10V
電力消費（最大） 42W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 420 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.8A (Ta)
基本製品番号 SPB08P

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データシート

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