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Infineon Technologies

SP001434884

工場モデル SP001434884
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 IPN60R1K0CEATMA1 - MOSFET
パッケージ PG-SOT223
株式 5776 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5776のInfineon Technologies SP001434884の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 130µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
シリーズ CoolMOS™ CE
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-261-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 280 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.8A (Tc)

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