SIGC81T60NCX7SA1
工場モデル | SIGC81T60NCX7SA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | IGBT 3 CHIP 600V WAFER |
パッケージ | Die |
株式 | 4945 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 24/Sep/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.5V @ 15V, 100A |
試験条件 | 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 95ns/200ns |
エネルギーの切り替え | - |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | Die |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | NPT |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 300 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100 A |
基本製品番号 | SIGC81T60 |
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