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Infineon Technologies

SIGC18T60UNX1SA2

工場モデル SIGC18T60UNX1SA2
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 IGBT 3 CHIP 600V WAFER
パッケージ Die
株式 5894 pcs
データシート Mult Dev EOL 24/Sep/2019SIGC18T60UN
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5894のInfineon Technologies SIGC18T60UNX1SA2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 600 V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 3.15V @ 15V, 20A
試験条件 400V, 20A, 2.2Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃ 15ns/65ns
エネルギーの切り替え -
サプライヤデバイスパッケージ Die
シリーズ -
パッケージ/ケース Die
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力タイプ Standard
IGBTタイプ NPT
電流 - コレクタパルス（ICM） 60 A
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 20 A
基本製品番号 SIGC18

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