SIDC26D60C6
| 工場モデル | SIDC26D60C6 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | DIODE GP 600V 100A WAFER |
| パッケージ | Sawn on foil |
| 株式 | 6856 pcs |
| データシート | SIDC26D60C6Part Number Guide |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.9 V @ 100 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sawn on foil |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 27 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 100A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | SIDC26D |
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