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Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

工場モデル SIDC11D60SIC3
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER
パッケージ Sawn on foil
株式 3863 pcs
データシート SIDC11D60SIC3Part Number Guide
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3863のInfineon Technologies SIDC11D60SIC3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.9 V @ 4 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 600 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ Sawn on foil
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース Die
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 200 µA @ 600 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 4A
Vrと、F @キャパシタンス 150pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 SIDC11

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