SIDC02D60C6X1SA4
工場モデル | SIDC02D60C6X1SA4 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | DIODE GP 600V 6A WAFER |
パッケージ | Sawn on foil |
株式 | 4403 pcs |
データシート | SIDC02D60C6Part Number Guide |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.95 V @ 6 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | Sawn on foil |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | Die |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 27 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 6A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | SIDC02 |
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