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Infineon Technologies

SDT12S60

工場モデル SDT12S60
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
パッケージ PG-TO220-2-2
株式 4327 pcs
データシート SDT12S60Part Number GuideMultiple Devices 10/Jun/2010
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4327のInfineon Technologies SDT12S60の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 12 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 600 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-2-2
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ CoolSiC™+
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 400 µA @ 600 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 12A
Vrと、F @キャパシタンス 450pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 SDT12S

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