ISZ0501NLSATMA1
工場モデル | ISZ0501NLSATMA1 |
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メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P |
パッケージ | PG-TDSON-8-25 |
株式 | 94451 pcs |
データシート | Mult Dev Site Add 30/Oct/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.367 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-25 |
シリーズ | OptiMOS™ 5 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 30W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 910 pF @ 12 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) |
基本製品番号 | ISZ0501 |
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