ISS55EP06LMXTSA1
| 工場モデル | ISS55EP06LMXTSA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 |
| パッケージ | PG-SOT23-3-5 |
| 株式 | 1576217 pcs |
| データシート | Power, Sensing Selection Guide 2021OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.152 | $0.124 | $0.066 | $0.043 | $0.029 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 11µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT23-3-5 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5Ohm @ 180mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 400mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.59 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180mA (Ta) |
| 基本製品番号 | ISS55EP06 |
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