ISP26DP06NMSATMA1
工場モデル | ISP26DP06NMSATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V SOT223 |
パッケージ | PG-SOT223 |
株式 | 335674 pcs |
データシート | Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.247 | $0.218 | $0.167 | $0.132 | $0.106 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | - |
装着タイプ | Surface Mount |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.9A (Ta) |
基本製品番号 | ISP26DP06 |
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