ISC0802NLSATMA1
工場モデル | ISC0802NLSATMA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON |
パッケージ | PG-TDSON-8-7 |
株式 | 73784 pcs |
データシート | Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$1.092 | $0.982 | $0.789 | $0.649 | $0.537 | $0.5 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 92µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-7 |
シリーズ | OptiMOS™ 5 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.6mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5190 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 73 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Ta), 150A (Tc) |
基本製品番号 | ISC0802N |
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