Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRLR8259TRPBF
IRLR8259TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRLR8259TRPBF

工場モデル IRLR8259TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
パッケージ D-Pak
株式 203747 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.395 $0.354 $0.276 $0.228 $0.18
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。203747のInfineon Technologies IRLR8259TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 25µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.7mOhm @ 21A, 10V
電力消費（最大） 48W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 900 pF @ 13 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 10 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 57A (Tc)
基本製品番号 IRLR8259

おすすめ商品

IRLR8259TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRLR8259TRPBFに関連した語彙

IRLR8259TRPBF関連コンポーネント