IRLR4343-701PBF
工場モデル | IRLR4343-701PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 26A IPAK |
パッケージ | I-PAK (LF701) |
株式 | 5725 pcs |
データシート | IRLR4343, IRLU4343/-701Part Number Guide |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK (LF701) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
電力消費(最大) | 79W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 740 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 26A (Tc) |
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