IRL6372PBF
| 工場モデル | IRL6372PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 4032 pcs |
| データシート | Part Number GuideMult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Packing Material Update 16/Sep/2016Warehouse Transfer 29/Jul/2015Pkg Type Disc 16/May/2016 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 10µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1020pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.1A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRL6372 |
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