IRL100HS121
| 工場モデル | IRL100HS121 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN |
| パッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| 株式 | 210322 pcs |
| データシート | Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.479 | $0.429 | $0.334 | $0.276 | $0.218 | $0.204 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 10µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 6.7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 11.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 440 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRL100 |
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