Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFZ46NLPBF
Infineon Technologies

IRFZ46NLPBF

工場モデル IRFZ46NLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 53A TO262
パッケージ TO-262
株式 155621 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemMult Dev A/T Site 26/Feb/2021
提案された価格 (米ドルでの測定)
1000
$0.261
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。155621のInfineon Technologies IRFZ46NLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 16.5mOhm @ 28A, 10V
電力消費(最大) 3.8W (Ta), 107W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1696 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 72 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 53A (Tc)
基本製品番号 IRFZ46

おすすめ商品

IRFZ46NLPBF データテーブルPDF

データシート

Loading...