IRFU5305PBF
工場モデル | IRFU5305PBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 55V 31A IPAK |
パッケージ | IPAK (TO-251AA) |
株式 | 186852 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.512 | $0.459 | $0.358 | $0.295 | $0.233 | $0.218 | $0.207 | $0.199 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 65mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 63 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Tc) |
基本製品番号 | IRFU5305 |
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