IRFU3410PBF
| 工場モデル | IRFU3410PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 31A IPAK |
| パッケージ | IPAK (TO-251AA) |
| 株式 | 185810 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Chgs 31/Aug/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.543 | $0.487 | $0.38 | $0.314 | $0.248 | $0.231 | $0.22 | $0.211 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 39mOhm @ 18A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 110W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1690 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFU3410 |
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