IRFU18N15D
工場モデル | IRFU18N15D |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK |
パッケージ | IPAK (TO-251AA) |
株式 | 4487 pcs |
データシート | IRFR18N15D, IRFU18N15DIR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 125mOhm @ 11A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
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