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IRFR9N20DTRPBF

工場モデル IRFR9N20DTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
パッケージ D-Pak
株式 5331 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Warehouse Transfer 29/Jul/2015IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev EOL 9/Apr/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5331のInfineon Technologies IRFR9N20DTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 380mOhm @ 5.6A, 10V
電力消費（最大） 86W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 560 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 27 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.4A (Tc)

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