Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZTRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFR2905ZTRPBF

工場モデル IRFR2905ZTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
パッケージ D-Pak
株式 182642 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.503 $0.451 $0.352 $0.291 $0.23
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。182642のInfineon Technologies IRFR2905ZTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 14.5mOhm @ 36A, 10V
電力消費（最大） 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1380 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 44 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 42A (Tc)
基本製品番号 IRFR2905

おすすめ商品

IRFR2905ZTRPBF データテーブルPDF

データシート

IRFR2905ZTRPBFに関連した語彙

IRFR2905ZTRPBF関連コンポーネント