IRFR13N15DTRR
工場モデル | IRFR13N15DTRR |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
パッケージ | D-Pak |
株式 | 5237 pcs |
データシート | IRFR13N15D, IRFU13N15DMult Dev EOL 11/Aug/2008IR Part Numbering System |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 180mOhm @ 8.3A, 10V |
電力消費(最大) | 86W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 620 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 150 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14A (Tc) |
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