IRFR024NTRPBF
| 工場モデル | IRFR024NTRPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| パッケージ | D-Pak |
| 株式 | 243929 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemMult Dev Wafer Site Chg 14/May/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.349 | $0.272 | $0.225 | $0.178 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 370 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFR024 |
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