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IRFL4105PBF

工場モデル IRFL4105PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
パッケージ SOT-223
株式 3894 pcs
データシート Packing Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Pkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering SystemSOT-223 FET Wire 04/Jul/2013SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3894のInfineon Technologies IRFL4105PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 45mOhm @ 3.7A, 10V
電力消費（最大） 1W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 660 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.7A (Ta)

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