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Infineon Technologies

IRFBL3703

工場モデル IRFBL3703
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
パッケージ SUPER D2-PAK
株式 4039 pcs
データシート IRFBL3703IR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4039のInfineon Technologies IRFBL3703の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SUPER D2-PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.5mOhm @ 76A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 300W (Tc)
パッケージ/ケース Super D2-Pak
パッケージ Tube
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8250 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 209 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 7V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 260A (Tc)

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