IRF7459TR
工場モデル | IRF7459TR |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 12A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 5485 pcs |
データシート | IRF7459IR Part Numbering System |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2480 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.8V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta) |
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