IRF7102
| 工場モデル | IRF7102 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 3861 pcs |
| データシート | IRF7102IR Part Numbering System |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 120pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | IRF71 |
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