Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF6621TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6621TR1PBF

工場モデル IRF6621TR1PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
パッケージ DIRECTFET™ SQ
株式 5310 pcs
データシート IRF6621(TR)PbFMultiple Devices 20/Dec/2013IR Part Numbering SystemDirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013MSL Update 20/Feb/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5310のInfineon Technologies IRF6621TR1PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.25V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ SQ
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.1mOhm @ 12A, 10V
電力消費（最大） 2.2W (Ta), 42W (Tc)
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric SQ
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1460 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17.5 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta), 55A (Tc)

おすすめ商品

IRF6621TR1PBF データテーブルPDF

データシート

IRF6621TR1PBFに関連した語彙

IRF6621TR1PBF関連コンポーネント