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IRF3709ZSPBF

工場モデル IRF3709ZSPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 6852 pcs
データシート IRF3709Z (S,L) PbFIR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014Material Chg 24/Nov/2015Alternate Assembly Site 05/Dec/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6852のInfineon Technologies IRF3709ZSPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.25V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 6.3mOhm @ 21A, 10V
電力消費（最大） 79W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2130 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 26 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 87A (Tc)

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