Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF2804STRR7PP
IRF2804STRR7PP Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF2804STRR7PP

工場モデル IRF2804STRR7PP
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
パッケージ D2PAK (7-Lead)
株式 6197 pcs
データシート Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemIRF2804S-7PMultiple Devices 25/Apr/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6197のInfineon Technologies IRF2804STRR7PPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK (7-Lead)
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.6mOhm @ 160A, 10V
電力消費（最大） 330W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6930 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 260 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 160A (Tc)

おすすめ商品

IRF2804STRR7PP データテーブルPDF

データシート

IRF2804STRR7PPに関連した語彙

IRF2804STRR7PP関連コンポーネント