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IR2117STR

工場モデル IR2117STR
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 6461 pcs
データシート Part Number GuideIR2117(S)/IR2118(S) (PbF)
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6461のInfineon Technologies IR2117STRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 10V ~ 20V
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ -
立上り/立下り時間(Typ) 80ns, 40ns
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
入力周波数 1
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
ロジック電圧 - VIL、VIH 6V, 9.5V
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET
駆動構成 High-Side
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 250mA, 500mA
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) Single
基本製品番号 IR2117

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IR2117STR データテーブルPDF

データシート