Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IQE006NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies

IQE006NE2LM5CGATMA1

工場モデル IQE006NE2LM5CGATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
パッケージ IPAK (TO-251AA)
株式 87978 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$1.046 $0.941 $0.757 $0.622 $0.515 $0.48
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。87978のInfineon Technologies IQE006NE2LM5CGATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 250µA
Vgs(最大) ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ IPAK (TO-251AA)
シリーズ OptiMOS™ 5
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 650mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5453 pF @ 12 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 82.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 41A (Ta), 298A (Tc)
基本製品番号 IQE006

おすすめ商品

IQE006NE2LM5CGATMA1 データテーブルPDF