IQDH29NE2LM5CGATMA1
| 工場モデル | IQDH29NE2LM5CGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR |
| パッケージ | PG-TTFN-9-U02 |
| 株式 | 53513 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.378 | $1.238 | $1.17 | $1.014 | $0.962 | $0.863 | $0.772 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 1.448mA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TTFN-9-U02 |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 0.29mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 278W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 9-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 17000 pF @ 12 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 254 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Ta), 789A (Tc) |
| 基本製品番号 | IQDH29 |
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