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Infineon Technologies

IPS65R1K0CEAKMA1

工場モデル IPS65R1K0CEAKMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
パッケージ TO-251
株式 6268 pcs
データシート Part Number Guide
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6268のInfineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 200µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
シリーズ CoolMOS™ CE
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 37W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 328 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15.3 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.3A (Tc)
基本製品番号 IPS65R

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