IPP80N06S3L-06
工場モデル | IPP80N06S3L-06 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
パッケージ | PG-TO220-3-1 |
株式 | 5289 pcs |
データシート | IPB(I,P)80N06S3L-06Part Number Guide |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 80µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.9mOhm @ 56A, 10V |
電力消費(最大) | 136W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9417 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 196 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
基本製品番号 | IPP80N |
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