IPP65R099CFD7AAKSA1
工場モデル | IPP65R099CFD7AAKSA1 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 |
パッケージ | PG-TO220-3 |
株式 | 31321 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$2.781 | $2.512 | $2.08 | $1.811 | $1.578 | $1.519 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 630µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 99mOhm @ 12.5A, 10V |
電力消費(最大) | 127W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2513 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 53 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Tc) |
基本製品番号 | IPP65R099 |
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