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IPP60R299CPXKSA1 Image
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IPP60R299CPXKSA1

工場モデル IPP60R299CPXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3
株式 57134 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Assembly Chgs 2/Feb/2021Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.286 $1.156 $0.947 $0.806 $0.68 $0.646 $0.622
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。57134のInfineon Technologies IPP60R299CPXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 440µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 299mOhm @ 6.6A, 10V
電力消費（最大） 96W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1100 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
基本製品番号 IPP60R299

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