Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPP60R080P7XKSA1
IPP60R080P7XKSA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IPP60R080P7XKSA1

工場モデル IPP60R080P7XKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3
株式 39587 pcs
データシート Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.362 $2.123 $1.739 $1.481 $1.249 $1.186
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。39587のInfineon Technologies IPP60R080P7XKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 590µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
シリーズ CoolMOS™ P7
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 80mOhm @ 11.8A, 10V
電力消費（最大） 129W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2180 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 51 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 37A (Tc)
基本製品番号 IPP60R080

おすすめ商品

IPP60R080P7XKSA1 データテーブルPDF

データシート

IPP60R080P7XKSA1に関連した語彙

IPP60R080P7XKSA1関連コンポーネント