Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPP12CN10LGXKSA1
IPP12CN10LGXKSA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IPP12CN10LGXKSA1

工場モデル IPP12CN10LGXKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3
株式 106888 pcs
データシート Part Number GuideCoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008Mult Dev A/T 26/Apr/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.835 $0.75 $0.603 $0.495 $0.41 $0.382 $0.368 $0.358
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。106888のInfineon Technologies IPP12CN10LGXKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 83µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 12mOhm @ 69A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5600 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 58 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 69A (Tc)
基本製品番号 IPP12CN10

おすすめ商品

IPP12CN10LGXKSA1 データテーブルPDF

データシート

IPP12CN10LGXKSA1に関連した語彙

IPP12CN10LGXKSA1関連コンポーネント