IPN80R2K4P7ATMA1
| 工場モデル | IPN80R2K4P7ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 |
| パッケージ | PG-SOT223 |
| 株式 | 235490 pcs |
| データシート | Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.368 | $0.329 | $0.256 | $0.212 | $0.167 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 40µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223 |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 6.3W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 150 pF @ 500 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPN80R2 |
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