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Infineon Technologies

IPI45N06S4L08AKSA3

工場モデル IPI45N06S4L08AKSA3
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL_55/60V
パッケージ PG-TO262-3-1
株式 3978 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev EOL 20/Sep/2019Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3978のInfineon Technologies IPI45N06S4L08AKSA3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.2V @ 35µA
Vgs(最大) ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3-1
シリーズ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8.2mOhm @ 45A, 10V
電力消費(最大) 71W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4780 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 64 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 45A (Tc)
基本製品番号 IPI45N

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データシート