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Infineon Technologies

IPF050N10NF2SATMA1

工場モデル IPF050N10NF2SATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET
パッケージ PG-TO263-7
株式 79591 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$0.785 $0.707 $0.568
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。79591のInfineon Technologies IPF050N10NF2SATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.8V @ 84µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
シリーズ StrongIRFET™ 2
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.05mOhm @ 60A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3600 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 76 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 19A (Ta), 117A (Tc)

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