Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IPD60R3K3C6

工場モデル IPD60R3K3C6
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 6433 pcs
データシート Part Number GuideCover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015CoolMOS EOL 26/Nov/2015CoolMOS EOL Update 26/Nov/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6433のInfineon Technologies IPD60R3K3C6の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.5V @ 40µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ CoolMOS™ C6
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.3Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大） 18.1W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 93 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4.6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.7A (Tc)
基本製品番号 IPD60R

おすすめ商品

IPD60R3K3C6 データテーブルPDF

データシート

IPD60R3K3C6に関連した語彙

IPD60R3K3C6関連コンポーネント