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IPD60N10S4L12ATMA1

工場モデル IPD60N10S4L12ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3-313
株式 127159 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Assembly Chg 4/Oct/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.678 $0.609 $0.49 $0.402 $0.333
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。127159のInfineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.1V @ 46µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-313
シリーズ Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 12mOhm @ 60A, 10V
電力消費（最大） 94W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3170 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 49 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Tc)
基本製品番号 IPD60N10

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